MHT1008NT1

fabricant:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
RF Power Discrete Transistors
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Product Category ::
RF Amplifier
Gewinn (dB)::
18,6
Output Power (W) ::
12.5
Frequenz Min (GHz)::
2,45
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
2.45
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Einleitung
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