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Einheit für die Berechnung der Zulassung

fabricant:
NXP Halbleiter
Beschreibung:
RF Power Discrete Transistors
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
21.7
Output Power (W) ::
10
Avg Power (W) ::
1.26
Frequency Min (GHz) ::
0.1
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
3.6
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Einleitung
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