A5G23H110NT4
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fabricant:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
HF-Leistungsdiskrete Transistoren
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
16
Avg Power (W) ::
13.8
Frequency Min (GHz) ::
2.3
Process ::
GaN
Frequency Max (GHz) ::
2.4
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Einleitung
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