A5G26H110NT4
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fabricant:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
RF Power Discrete Transistors
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
16
Durchschnittliche Leistung (W)::
15
Frequency Min (GHz) ::
2.496
Verfahren::
- Ich bin nicht hier.
Frequency Max (GHz) ::
2.69
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Einleitung
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