Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
fabricant:
NXP Halbleiter
Beschreibung:
RF Power Discrete Transistors
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Product Category ::
RF Amplifier
Type ::
RF Power Discrete Transistors
Gain (dB) ::
16
Output Power (W) ::
125
Frequency Min (GHz) ::
0.001
Process ::
GaN
Frequency Max (GHz) ::
2.7
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Einleitung
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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