Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt
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fabricant:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
RF Power Discrete Transistors
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
21.5
Output Power (W) ::
79
Avg Power (W) ::
30
Frequency Min (GHz) ::
0.716
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
0.96
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Einleitung
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