Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Ampleon USA Inc.
Beschreibung:
RF Power Discrete Transistors
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Product Category ::
RF Amplifier
Type ::
RF Power Discrete Transistors
Gewinn (dB)::
12,7
Output Power (W) ::
100
Frequency Min (GHz) ::
0
Process ::
GaN
Frequency Max (GHz) ::
3.5
Manufacturer ::
Ampleon USA Inc.
Einleitung
Der CLF1G0035-100PU,von Ampleon USA Inc.,ist ein HF-Verstärker.Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt,der in Original- und neuen Teilen erhältlich ist.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
BLA9H0912L-250U
RF Power Discrete Transistors
C4H10P600AY
RF Power Discrete Transistors
BLF8G22LS-160BV,11
RF Power Discrete Transistors
BLP10H660PGY
RF Power Discrete Transistors
BLS7G2730LS-200PU
RF Power Discrete Transistors
BLP05H6700XRY
RF Power Discrete Transistors
BLS9G2731LS-400U
RF Power Discrete Transistors
BLC10G22XS-400AVTZ
RF Power Discrete Transistors
BLF6G22LS-100,112
RF Power Discrete Transistors
BLC9G27XS-380AVTZ
RF Power Discrete Transistors
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
BLA9H0912L-250U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
C4H10P600AY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF8G22LS-160BV,11 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP10H660PGY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS7G2730LS-200PU |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP05H6700XRY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS9G2731LS-400U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC10G22XS-400AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF6G22LS-100,112 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC9G27XS-380AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: