Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.
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fabricant:
Ampleon USA Inc.
Beschreibung:
RF Power Discrete Transistors
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Product Category ::
RF Amplifier
Type ::
RF Power Discrete Transistors
Gain (dB) ::
17.7
Output Power (W) ::
10
Frequency Min (GHz) ::
0
Process ::
GaN
Frequency Max (GHz) ::
6
Manufacturer ::
Ampleon USA Inc.
Einleitung
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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