MRF8VP13350NR5
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fabricant:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
RF Power Discrete Transistors
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
20.7
Output Power (W) ::
350
Frequency Min (GHz) ::
0.7
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
1.3
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Einleitung
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