Einheit für die Überwachung der Sicherheit der Luftfahrt
fabricant:
NXP USA Inc.
Beschreibung:
RF Power Discrete Transistors
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
13.2
Avg Power (W) ::
80
Frequency Min (GHz) ::
2.496
Process ::
GaN
Frequency Max (GHz) ::
2.69
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Einleitung
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