MRF557T
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
ASI / Advanced Semiconductor, Inc.
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors RF Transistor
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Packaging ::
Tray
Technology ::
Si
Transistor Type ::
Bipolar Power
Product Category ::
RF Bipolar Transistors
Manufacturer ::
ASI / Advanced Semiconductor, Inc.
Einleitung
Die MRF557T, von ASI / Advanced Semiconductor, Inc., sind RF Bipolar Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
1N26
PIN Diodes HERMETIC SEALED, DO-37, 2PIN
MZ0912B50Y
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
UML3
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
AGR21090EF
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
AGR18030EF
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
AGR18125EF
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
AGR19180EF
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
1N26 |
PIN Diodes HERMETIC SEALED, DO-37, 2PIN
|
|
|
|
MZ0912B50Y |
RF Bipolar Transistors 960-1215MHz Gain 7dB NPN
|
|
|
|
UML3 |
RF Bipolar Transistors 225-400MHz Pout = 3W
|
|
|
|
AGR21090EF |
RF MOSFET Transistors 2.11-2.17GHz 19Watt Gain 14.5dB
|
|
|
|
AGR18030EF |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 33Watt Gain 15dB
|
|
|
|
AGR18125EF |
RF MOSFET Transistors 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB
|
|
|
|
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
RF MOSFET Transistors 865-960MHz 105Watt Gain 17.8dB
|
|
|
|
AGR19180EF |
RF MOSFET Transistors 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: