Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
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fabricant:
MACOM
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
13.5 dB
Transistortyp::
HEMT
Output Power ::
5 W
Package / Case ::
SOT89-3
Maximum Operating Temperature ::
+ 95 C
Vds - Abflussspannung::
50 V
Packaging ::
Reel
Id - Kontinuierlicher Abfluss::
0,3 A
Pd - Power Dissipation ::
12 W
Manufacturer ::
MACOM
Einleitung
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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