NPT2022
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
MACOM
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Produktkategorie:
JFET-Transistoren
Mounting Style ::
Screw
Gewinn::
DB 21
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
160 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
24 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Einleitung
Die NPT2022, von MACOM, sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
MACOM Rf In Halbleiter MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm HF Halbleiter 0,35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
MACOM Rf In Halbleiter MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
|
|
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm HF Halbleiter 0,35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: