QPD1003
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
JFET-Transistoren mit 1,2-1,4 GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19.9 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
540 W
Package / Case ::
RF-565
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Abflussspannung::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
15 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
PD - Verlustleistung::
370 Watt
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
Die QPD1003 von Qorvo sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: