TGF2957
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fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19.2 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
48.6 dBm
Package / Case ::
Die
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
100 V
Id - Kontinuierlicher Abfluss::
4.2 A
Pd - Power Dissipation ::
68 W
Hersteller::
Qorvo
Einleitung
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