TGF2060
Spezifikationen
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Technology ::
GaAs
Produktkategorie:
JFET-Transistoren
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gewinn::
DB 12
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
2.1 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Id - Continuous Drain Current ::
194 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
Die TGF2060, von Qorvo, sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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