QPD1008
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fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
17.5 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
162 W
Package / Case ::
NI-360
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
127 W
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
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