TGF2018
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fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 15 V
Technologie::
Gaas
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Transistortyp::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
0.64 W
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Maximum Drain Gate Voltage ::
12 V
Id - Continuous Drain Current ::
58 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
Die TGF2018, von Qorvo, sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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