TGF2929-HM
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fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technologie::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Montage-Stil::
SMD/SMT
Gain ::
17.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
132 W
Package / Case ::
Flange Ceramic-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Waffle
Id - Continuous Drain Current ::
7.2 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.8 V
Pd - Power Dissipation ::
140 W
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
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