Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Vorschriften gelten nicht für die Berechnung von Zulassungen.
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fabricant:
CEL
Beschreibung:
RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
N-Kanal
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gewinn::
DB 14
Transistor Type ::
HFET
PD - Verlustleistung::
175 mW
Package / Case ::
FTSMM-4 (M04)
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
4 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
120 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Manufacturer ::
CEL
Einleitung
Die NE3508M04-T2-A von CEL sind RF-JFET-Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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