TGF2977-SM
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fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
6 W
Package / Case ::
QFN-16
Maximum Operating Temperature ::
+ 225 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
326 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Pd - Power Dissipation ::
8.4 W
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
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