T1G6001032-SM
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fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-6GHz 32Volt GaN 10 Watt Peak
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Produktkategorie:
JFET-Transistoren
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gewinn::
DB 19
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
16 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
1.2 A
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
Die T1G6001032-SM von Qorvo sind RF-JFET-Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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