QPD1015
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
20 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
70 W
Package / Case ::
NI-360
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2.5 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
64 W
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
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