Haus > produits > Elektronische Halbleiter > MGA-631P8-TR1G

MGA-631P8-TR1G

fabricant:
Avago / Broadcom
Beschreibung:
RF JFET Transistoren GaAs RFIC LNA
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
17.5 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
550 mW
Packung / Koffer::
TSLP-8
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
5.5 V
Packaging ::
Reel
Id - Kontinuierlicher Abfluss::
54 MA
Manufacturer ::
Avago / Broadcom
Einleitung
Die MGA-631P8-TR1G, von Avago / Broadcom, sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: