QPD1008L
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fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
N-Kanal
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gewinn::
17.5 dB
Transistor Type ::
HEMT
Ausgangsleistung::
162 Watt
Package / Case ::
NI-360
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
127 W
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
Die QPD1008L, von Qorvo, sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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