T1G3000532-SM
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Montage-Stil::
SMD/SMT
Gain ::
15.7 dB
Transistortyp::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
9.1 W
Package / Case ::
QFN-32
Output Power ::
5.7 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
0.6 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
Die T1G3000532-SM von Qorvo sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: