TGF2979-SM
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
11 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
22 W
Package / Case ::
QFN-20
Maximum Operating Temperature ::
+ 225 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
1.8 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
PD - Verlustleistung::
49 W
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
Die TGF2979-SM von Qorvo sind RF-JFET-Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: