J108,126
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fabricant:
NXP Halbleiter
Beschreibung:
RF JFET Transistors N-Channel Single '+/- 25V 80mA
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
N-Kanal
Technology ::
Si
Produktkategorie:
JFET-Transistoren
Mounting Style ::
Through Hole
Transistor Type ::
JFET
Pd - Power Dissipation ::
400 mW
Package / Case ::
TO-92
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
25 V
Packaging ::
Ammo Pack
Id - Continuous Drain Current ::
80 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
25 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Einleitung
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