Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten.
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
10 W
Pd - Power Dissipation ::
12 W
Höchstbetriebstemperatur::
+ 95 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
65 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
500 mA
Hersteller::
MACOM
Einleitung
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