MGA-631P8-TR2G
Spezifikationen
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gewinn::
17.5 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
550 mW
Package / Case ::
TSLP-8
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
5.5 V
Verpackung::
Spirale
Id - Continuous Drain Current ::
54 mA
Manufacturer ::
Avago / Broadcom
Einleitung
Die MGA-631P8-TR2G, von Avago / Broadcom, sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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