NPTB00004A
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
MACOM
Beschreibung:
JFET-Transistoren mit 5W-Gewinn und 16dB-GaN
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
16 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
11.6 W
Package / Case ::
SOIC
Höchstbetriebstemperatur::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2 mA
Vgs - Ausfallspannung der Torquelle::
3 mA
Manufacturer ::
MACOM
Einleitung
Die NPTB00004A von MACOM sind RF-JFET-Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
MACOM Rf In Halbleiter MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm HF Halbleiter 0,35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
MACOM Rf In Halbleiter MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
|
|
MADP-007433-12790T 1,5 Ohm HF Halbleiter 0,35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: