ATF-511P8-TR1
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fabricant:
Avago / Broadcom
Beschreibung:
RF JFET Transistors Transistor GaAs High Linearity
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 5 V to 1 V
Technologie::
Gaas
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14.8 dB
Transistor Type ::
EpHEMT
Pd - Power Dissipation ::
3 W
Package / Case ::
LPCC-8
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
7 V
Packaging ::
Reel
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 5 V to + 1 V
Id - Continuous Drain Current ::
1 A
Manufacturer ::
Avago / Broadcom
Einleitung
Die ATF-511P8-TR1, von Avago/Broadcom, sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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