TGA2601-SM-T/R
Spezifikationen
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
500 mW
Package / Case ::
QFN-16
Maximum Operating Temperature ::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
5 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
100 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
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