QPD2730
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fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technologie::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Montage-Stil::
SMD/SMT
Gain ::
16 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
36 W
Package / Case ::
NI780-4
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
48 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
55 V
Id - Continuous Drain Current ::
210 mA
Pd - Power Dissipation ::
18.6 W
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
Die QPD2730 von Qorvo sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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