QPD1015L
![Qualität [#varpname#] usine](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
20 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
70 W
Package / Case ::
NI-360
Höchstbetriebstemperatur::
+ 85 °C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2.5 A
Vgs - Ausfallspannung der Torquelle::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
64 W
Hersteller::
Qorvo
Einleitung
Die QPD1015L von Qorvo sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: