Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.
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fabricant:
NXP Halbleiter
Beschreibung:
RF JFET Transistoren Breitband-HF-Leistung GaN HEMT
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Package / Case ::
SOT1227B
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
150 V
Verpackung::
Schlauch
Id - Continuous Drain Current ::
5.1 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Einleitung
Die CLF1G0060S-30U von NXP Semiconductors sind RF-JFET-Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, und zwar in Original- und neuen Teilen.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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