BF861A,215
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fabricant:
NXP Halbleiter
Beschreibung:
RF JFET Transistors TAPE7 FET-RFSS
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technologie::
Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Transistor Type ::
JFET
Pd - Power Dissipation ::
250 mW
Package / Case ::
SOT-23
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
25 V
Packaging ::
Reel
Maximum Drain Gate Voltage ::
25 V
Id - Continuous Drain Current ::
6.5 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 25 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Einleitung
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