Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführten Daten sind zu berücksichtigen.
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
17.1 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
15.3 W
Package / Case ::
QFN-EP-16
Output Power ::
11 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Kontinuierlicher Abfluss::
557 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
Die TGF3015-SM von Qorvo sind RF-JFET-Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: