ATF-53189-BLK
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fabricant:
Avago / Broadcom
Beschreibung:
RF JFET Transistors Transistor GaAs High Linearity
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 5 V to 1 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
15.5 dB
Transistor Type ::
EpHEMT
Pd - Power Dissipation ::
1 W
Package / Case ::
SOT-89
Höchstbetriebstemperatur::
+ 150 °C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
7 V
Packaging ::
Bulk
Id - Continuous Drain Current ::
300 mA
Hersteller::
Avago / Broadcom
Einleitung
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