TGF2953
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.2 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
41.6 dBm
Package / Case ::
Die
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Waffle
Maximale Abflussspannung::
100 V
Id - Continuous Drain Current ::
820 mA
Pd - Power Dissipation ::
17 W
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
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