ATF-36163-TR1G
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fabricant:
Avago / Broadcom
Beschreibung:
JFET-Transistoren mit hoher Frequenz
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
10 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
180 mW
Packung / Koffer::
SOT-363
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Packaging ::
Reel
Id - Kontinuierlicher Abfluss::
40 mA
Manufacturer ::
Avago / Broadcom
Einleitung
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