BF556A, 235
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fabricant:
NXP Halbleiter
Beschreibung:
RF JFET Transistors N-Channel Single '+/- 30V 7mA
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technologie::
Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Montage-Stil::
SMD/SMT
Transistor Type ::
JFET
Pd - Power Dissipation ::
250 mW
Package / Case ::
SOT-23
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
30 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
7 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
30 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Einleitung
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