J174,126
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fabricant:
NXP Halbleiter
Beschreibung:
RF JFET Transistors AMMORA FET-RFSS
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
P-Channel
Technology ::
Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Through Hole
Transistor Type ::
JFET
Pd - Power Dissipation ::
300 mW
Package / Case ::
TO-92
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
30 V
Packaging ::
Ammo Pack
Maximum Drain Gate Voltage ::
30 V
Id - Continuous Drain Current ::
135 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
30 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
Einleitung
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