QPD2795
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
22 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
364 W
Package / Case ::
NI780-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
48 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
55 V
Id - Continuous Drain Current ::
360 mA
Pd - Power Dissipation ::
83.5 W
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
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