NPT1012B
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fabricant:
MACOM
Beschreibung:
Wirkungsstärke der Transistoren
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
44 W
Höchstbetriebstemperatur::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 mA
Vgs - Ausfallspannung der Torquelle::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Einleitung
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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