QPD1010
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fabricant:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
24.7 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
11 W
Package / Case ::
QFN-16
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Waffle
Id - Continuous Drain Current ::
400 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
13.5 W
Manufacturer ::
Qorvo
Einleitung
Die QPD1010 von Qorvo sind RF JFET Transistoren. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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