BF 999 E6327
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fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors Silicon N-Channel MOSFET Triode
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Polarität des Transistors::
N-Kanal
Technology ::
Si
Product Category ::
RF MOSFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Package / Case ::
SOT-23
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
20 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
30 A
Manufacturer ::
Infineon Technologies
Einleitung
Die BF 999 E6327, von Infineon Technologies, sind RF MOSFET Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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