Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.
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fabricant:
Infineon Technologies
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ
Kategorie:
Elektronische Halbleiter
Spezifikationen
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
Si
Product Category ::
RF MOSFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.5 dB
Output Power ::
55 W
Package / Case ::
H-37260-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
65 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
1.85 A
Rds On - Drain-Source Resistance ::
0.04 Ohms at 10 V
Manufacturer ::
Infineon Technologies
Einleitung
Die PTFA092201F V4 R250, von Infineon Technologies, sind RF MOSFET Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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