BA592E6327HTSA1 INFINEON NPN HF-Transistor

DieBA592E6327(TeilnummerBA592E6327HTSA1) ist eineStandard-RF-PIN-Diodevon Infineon Technologies entwickelt, typischerweise für Hochfrequenzschalt- und Dämpfungsanwendungen in HF-Schaltkreisen verwendet.Hier sind die vollständigen technischen Spezifikationen und Anwendungen auf der Grundlage der verfügbaren Informationen:

Schlüsselmerkmale

1. Typ der Diode:Standard-RF-PIN-Diode, geeignet für Hochfrequenzanwendungen.
2. Spitzenumkehrspannung (maximal):35 V die maximale Spannung, der sie bei umgekehrter Verzerrung standhält.
3. Kontinuierlicher Vorwärtsstrom (Wenn):100 mA ist der maximale Dauerstrom, den es in Vorwärtsverzerrung tragen kann.
4. Vorwärtswiderstand (Rf):0.45 Ω (typisch bei 3 mA) Dieser geringe Widerstand ermöglicht eine effiziente HF-Schaltung mit minimalem Signalverlust.
5. Kapazität (Cj):1.1 pF (bei Vr = 1V, f = 1 MHz) Niedrige Kapazität hilft bei Hochfrequenzanwendungen, Signalverzerrungen zu reduzieren.
6. Verpackung:SOD-323 (PG-SOD323-3D) ′′ ein kleines, an der Oberfläche montierbares Paket, geeignet für Anwendungen mit begrenztem Raum.
7. Leistungsausfall (Ptot):250 mW ¢ die maximale Leistung, die sie unter bestimmten Bedingungen abgeben kann.
8. Betriebstemperaturbereich:-55°C bis +150°C ­ sorgt für einen zuverlässigen Betrieb in einem breiten Temperaturbereich.
9. Anwendungsbereiche:Anwendungen für das Schalten und Abstimmen von HF-Signalen, insbesondere in TV-Tunern, Mobilfunk und anderen HF-Signalsteuerungsschaltungen.
10. Einhaltung der Vorschriften:RoHS-konform, umweltfreundlich und nach Sicherheitsnormen.

Anwendungen

DieBA592E6327ist ideal für:

• Fernseh- und Video-Tuning-Schaltkreise:Wird zur Signalwahl und Abstimmung in Fernseh- und Videogeräten verwendet.
• Mobilfunk- und drahtlose Kommunikationssysteme:Bietet eine effiziente Steuerung des HF-Signals mit minimalen Störungen.
• HF-Schalter und Dämpfer:Häufig in Schaltkreisen eingesetzt, die eine zuverlässige, geräuscharme Signalübertragung und -dämpfung erfordern.