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Elektronische Halbleiter

BildTeil #BeschreibungfabricantAuf LagerRFQ
Qualität S29GL256N90TFAR13 usine

S29GL256N90TFAR13

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S26KS512SDGBHM030 usine

S26KS512SDGBHM030

Flash Memory NOR
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL064S80FHV010 usine

S29GL064S80FHV010

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 1095/2010 aufgeführt.

Flash Memory 2.3V to 3.6V 4Mbit SPI Serial Flash
Mikrochiptechnik
Qualität Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind. usine

Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 enthalten sind.

Flash Memory 4M Flash SPI
Mikrochiptechnik
Qualität S25FL164K0XMFB003 usine

S25FL164K0XMFB003

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufzunehmen. usine

Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten sind in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufzunehmen.

Flash Memory 4.5V to 5.5V 1Mbit Multi-Purpose Flash
Mikrochiptechnik
Qualität Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht. usine

Die in Absatz 1 genannte Regelung gilt nicht.

Flash Memory 64M 2.7V-3.6V SPI 104MHz IND TEMP
Adesto-Technologien
Qualität S29CD016J0PQAM010U usine

S29CD016J0PQAM010U

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL128S90TFI013 usine

S29GL128S90TFI013

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL129P0XBHV310 usine

S25FL129P0XBHV310

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität IS39LV010-70JCE usine

IS39LV010-70JCE

Flash Memory 1M 2.7-3.6V 70ns ISA Parallel Flash
ISSI
Qualität IS26KL512S-DABLA200TR usine

IS26KL512S-DABLA200TR

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. usine

Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.

Flash Memory 8-SOIC-W, IND TEMP, QUAD, 2.3V, T&R, BINARY MODE, QE BIT ENABLED
Adesto-Technologien
Qualität S25FL128SAGNFI010 usine

S25FL128SAGNFI010

Flash Memory 128Mb 3V 133MHz Serial NOR Flash
Zypress Halbleiter
Qualität S98GL064NB0HI0083 usine

S98GL064NB0HI0083

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL128SAGMFI001 usine

S25FL128SAGMFI001

Flash Memory 128Mb 3V 133MHz Serial NOR Flash
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL256SDPMFIG13 usine

S25FL256SDPMFIG13

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL064P0XNFV001M usine

S25FL064P0XNFV001M

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL128P10FAI010 usine

S29GL128P10FAI010

Flash Memory NOR
Zypress Halbleiter
Qualität S34ML08G201TFB000 usine

S34ML08G201TFB000

Flash Memory NAND
Zypress Halbleiter
Qualität IS25LQ020B-JNLE usine

IS25LQ020B-JNLE

Flash Memory 2Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET
ISSI
Qualität S26KS256SDABHV030 usine

S26KS256SDABHV030

Flash Memory NOR
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 enthalten sind. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 enthalten sind.

Flash Memory X-Energy, 8-SOIC-N, IND TEMP, 1.65V, T&R
Adesto-Technologien
Qualität IS25LQ040B-JNLE usine

IS25LQ040B-JNLE

Flash Memory 4Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS, ET
ISSI
Qualität S29GL128S10WEI029 usine

S29GL128S10WEI029

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S26KS256SDABHI030 usine

S26KS256SDABHI030

Flash Memory NOR
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt sind. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten, sofern sie nicht in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt sind.

Flash Memory 2.7V to 3.6V 4Mbit SPI Serial Flash
Mikrochiptechnik
Qualität IS25LP032D-JBLE usine

IS25LP032D-JBLE

Flash Memory 32M QSPI, 8-pin SOP 208mil ET
ISSI
Qualität S25FS064SAGMFV010 usine

S25FS064SAGMFV010

Flash Memory 64 Mbit (8 Mbyte) 1.8-V FS-S Flash
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG genannten Vorschriften gelten für alle in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG genannten Fahrzeuge. usine

Die in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG genannten Vorschriften gelten für alle in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG genannten Fahrzeuge.

Flash Memory 2M 1.65-3.6V 70Mhz Data Flash
Adesto-Technologien
Qualität S25FL256SAGBHI210 usine

S25FL256SAGBHI210

Flash Memory 256Mb 3V 133MHz Serial NOR Flash
Spansion/Zypresse
Qualität IS25WP064A-JBLE usine

IS25WP064A-JBLE

Flash Memory 64Mb QPI/QPI/QSPI, 8-pin SOP 2064Mil, RoHS, ET
ISSI
Qualität S29GL256S90TFA010 usine

S29GL256S90TFA010

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität Die Bezeichnung "RAS" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführt. usine

Die Bezeichnung "RAS" ist in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführt.

Flash Memory 2.7 to 3.6V 16Mbit Multi-Purpose Flash
Mikrochiptechnik
Qualität S34ML08G201BHA003 usine

S34ML08G201BHA003

Flash Memory Nand
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.

Flash Memory 4M (512Kx8) 80MHz Industrial Temp
Mikrochiptechnik
Qualität S29GL512N11FFI023 usine

S29GL512N11FFI023

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL032N90FFIS32 usine

S29GL032N90FFIS32

Flash Memory 32M 3.0V 90ns Parallel NOR Flash
Zypress Halbleiter
Qualität S25FL129P0XNFI013M usine

S25FL129P0XNFI013M

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL512S10SFI020 usine

S29GL512S10SFI020

Flash Memory NOR
Zypress Halbleiter
Qualität S29GL128P90FFSS70 usine

S29GL128P90FFSS70

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar. usine

Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.

Flash Memory 16M, 85MHz 2.3-3.6V DataFlash
Adesto-Technologien
Qualität S29CD016J0JFAM010 usine

S29CD016J0JFAM010

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität Ich bin nicht derjenige, der dich anspricht. usine

Ich bin nicht derjenige, der dich anspricht.

Flash Memory 64GB NAND EEPROM Suprme+
Toshiba
Qualität Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 erfasst. usine

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 erfasst.

Flash Memory 2.7V to 3.6V 32Mbit Multi-Prps Fl
Mikrochiptechnik
Qualität S29GL064S70FHI013 usine

S29GL064S70FHI013

Flash Memory Nor
Zypress Halbleiter
Qualität Die Angabe der Anwendungsdauer des Zertifikats ist in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu finden. usine

Die Angabe der Anwendungsdauer des Zertifikats ist in Anhang I der Richtlinie 2008/57/EG zu finden.

Flash Memory 2.7V to 3.6V 2Mbit Multi-Prps Fl
Mikrochiptechnik
Qualität S25FL129P0XMFI010 usine

S25FL129P0XMFI010

Flash Memory 128M CMOS 3V 104MHz Serial NOR Flash
Spansion/Zypresse
Qualität S34ML02G200TFA003 usine

S34ML02G200TFA003

Flash Memory Nand
Zypress Halbleiter
424 425 426 427 428